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BR108

更新时间： 2024-01-24 23:43:23

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2页	51K
描述
SINGLE-PHASE SILICON BRIDGE

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BR108 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	S-PUFM-W4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.69	其他特性：	UL LISTED
最小击穿电压：	800 V	配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	S-PUFM-W4	最大非重复峰值正向电流：	200 A
元件数量：	4	相数：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	10 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	SQUARE
封装形式：	FLANGE MOUNT	最大重复峰值反向电压：	800 V
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	UPPER	Base Number Matches：	1

BR108 数据手册

BR1005 THRU BR1010

SINGLE-PHASE SILICON BRIDGE

Reverse Voltage -

Forward Current -

50 to 1000 Volts

10.0 Amperes

Features

Surge overload rating - 200 amperes peak

Low forward voltage drop

Small size; simple installation

Silver plated copper leads

Mounting position: Any

Ceramic case

DIMENSIONS

inches

DIM

Note

Min.

Max.

0.620

0.270

0.445

Min.

Max.

15.71

6.86

11.31

0.580

0.230

0.405

0.750

0.038

14.69

5.84

10.29

19.1

0.042

0.97

1.07

HOLE FOR NO. 6 SCREW

Maximum Ratings and Electrical Characteristics

Ratings at 25 ambient temperature unless otherwise specified.

For capacitive load, derate current by 20%.

1005

102

104

106

108

1010

Symbols

Units

101

100

Maximum repetitive peak reverse voltage

Maximum RMS bridge input voltage

200

140

400

280

600

420

800

560

1000

700

Volts

RRM

RMS

Maximum average forward

rectified output current at

T =50

10.0

6.0

T_C^C=100

T =50

I_(AV)

Amps

Peak forward surge current, 8.3mS single

half sine-wave superimposed on rated load

200.0

1.1

Amps

Volts

FSM

Maximum forward Voltage drop per

element at 5.0A peak

Maximum DC reverse current at rated

DC blocking voltage per element

T =25

T^A_A=100

10.0

1.0

Operating temperature range

Storage temperature range

-55 to +125

-55 to +150

T_STG

Notes:

* Unit mounted on metal chassis

** Unit mounted on P.C. board

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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