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BC850

更新时间: 2024-01-15 15:22:59
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三星 - SAMSUNG 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 103K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23, 3 PIN

BC850 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.57
其他特性:LOW NOISE最大集电极电流 (IC):0.1 A
基于收集器的最大容量:3 pF集电极-发射极最大电压:45 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):200
JESD-30 代码:R-PDSO-G3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):100 MHz
VCEsat-Max:0.6 VBase Number Matches:1

BC850 数据手册

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