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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.09 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 基于收集器的最大容量： | 4.5 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 30 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 420 | JEDEC-95代码： | TO-92 |
| JESD-30 代码： | O-PBCY-W3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.625 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 150 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| BC558-C | SAMSUNG | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, |
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| BC558C(AMMOPAK) | DIODES | Small Signal Bipolar Transistor, 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 |
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| BC558C(BOX) | DIODES | Small Signal Bipolar Transistor, 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 |
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| BC558C/D10Z | TI | 30V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
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| BC558C/D26Z | TI | PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
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| BC558C/D27Z | TI | PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
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