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BC558C

更新时间: 2024-02-25 02:12:12
品牌 Logo 应用领域
RECTRON 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 89K
描述
PNP Silicon Planar Epitaxial Transistors

BC558C 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:,Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.69最大集电极电流 (IC):0.1 A
配置:SingleJESD-609代码:e0
最高工作温度:150 °C极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):0.5 W子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT):150 MHzBase Number Matches:1

BC558C 数据手册

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BC556,A,B,C  
BC557,A,B,C  
BC558,A,B,C  
PNP Silicon Planar Epitaxial Transistors  
1
2
3
TO-92 SMD Package  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 oC unless specified otherwise)  
SYMBOL  
VCEO  
VCES  
VCBO  
VEBO  
IC  
BC556  
BC557  
45  
BC558  
30  
UNITS  
DESCRIPTION  
Collector Emitter Voltage  
Collector Emmitter Voltage  
Collector Base Voltage  
65  
V
V
V
V
80  
50  
30  
80  
50  
5
100  
200  
200  
200  
30  
5
5
Emitter Base Voltage  
Collector Current Continuous  
Peak  
mA  
ICM  
IEM  
IBM  
mA  
mA  
Emitter Current - Peak  
Base Current - Peak  
Total power dissipation up to  
Ptot  
500  
mW  
Tamb = 25 oC  
oC  
Tstg  
Tj  
-55 to +150  
150  
Storge Temperature  
Junction Temperature  
oC  
Thermal Resistance  
From junction to ambient  
oC/W  
Rth(j-a)  
250  
www.rectron.com  
1 of 3  

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