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BC546

更新时间: 2024-02-28 03:13:36
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RECTRON 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 90K
描述
NPN Silicon Planar Epitaxial Transistors

BC546 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
包装说明:TO-92-18R, 3 PINReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.64最大集电极电流 (IC):0.1 A
基于收集器的最大容量:2.5 pF集电极-发射极最大电压:65 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):110
JESD-30 代码:O-PBCY-T3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN功耗环境最大值:0.5 W
最大功率耗散 (Abs):0.5 W表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):300 MHzVCEsat-Max:0.6 V
Base Number Matches:1

BC546 数据手册

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BC546  
BC547  
BC548  
NPN Silicon Planar Epitaxial Transistors  
1
2
3
TO-92 SMD Package  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 oC unless specified otherwise)  
SYMBOL  
VCBO  
VCES  
VCEO  
VEBO  
IC  
BC546  
BC547  
50  
BC548  
30  
UNITS  
DESCRIPTION  
Collector Base Voltage  
Collector Emmitter Voltage (VBE = 0V)  
Collector Emitter Voltage  
80  
V
V
V
V
80  
50  
30  
65  
45  
6
100  
200  
200  
200  
30  
5
6
Emitter Base Voltage  
Collector Current (DC)  
Collector Current - Peak  
Emitter Current - Peak  
Base Current - Peak  
mA  
ICM  
IEM  
IBM  
mA  
mA  
Total power dissipation up to  
Ptot  
500  
mW  
Tamb = 25 oC  
Tstg  
Tj  
-55 to +150  
150  
Storge Temperature  
Junction Temperature  
oC  
oC  
Thermal Resistance  
oC/W  
From junction to ambient  
Rth(j-a)  
250  
www.rectron.com  
1 of 3  

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