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AFF150

更新时间： 2022-02-26 13:01:36
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POSEICO 快速恢复二极管
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描述
FAST RECOVERY DIODE

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AFF150 数据手册

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FAST RECOVERY DIODE  
INSULATED MODULE  
*Full ermetic packaging  
*Industrial compatible packaging  
*Insulation using Aln substrate  
*6KVrms insulation voltage available on request  
*Contact screws avaliable on request  
AFF150  
Repetitive voltage up to  
3300 V  
178 A  
Mean on-state current  
Surge current  
3 kA  
FINAL SPECIFICATION  
apr 17 - ISSUE : 1  
Tj  
[°C]  
Symbol  
Characteristic  
Conditions  
Value  
Unit  
BLOCKING  
V RRM  
V RSM  
I RRM  
Repetitive peak reverse voltage  
Non-repetitive peak reverse voltage  
Repetitive peak reverse current  
125  
125  
125  
3300  
V
V
3400  
50  
mA  
CONDUCTING  
I F (AV)  
Mean on-state current  
180° sin, 50Hz, Tc=55°C  
177,9  
A
I F (AV)  
I FSM  
I² t  
Mean on-state current  
Surge on-state current  
I² t  
180° sin. 50Hz, Tc=70°C  
sine wave, 10 ms  
151,2  
2,5  
A
kA  
125  
without reverse voltage  
31 x1E3  
A²s  
V
V F  
On-state voltage  
On-state current =  
300 A  
125  
125  
3,15  
1,86  
V F(TO)  
r F  
Threshold voltage  
V
On-state slope resistance  
Reverse recovery charge  
Peak reverse recovery current  
Reverse recovery time  
125 4,300  
mohm  
µC  
A
Q rr  
I rr  
I F =  
500 A  
125  
125  
125  
55  
di/dt=  
VR =  
100 A/µs  
50 V  
85  
t rr  
1,3  
µs  
MOUNTING  
R th(j-c)  
Thermal impedance  
Junction to case, per element  
Case to heatsink, per element  
105  
°C/kW  
R th(c-h)  
T j  
Thermal impedance  
20  
-30 / 125  
4500  
°C/kW  
°C  
Operating junction temperature  
RMS insulation voltage  
Mounting tourque  
V ins  
T
50Hz, circuit to base,all terminal shorted  
25  
V
Case to heatsink  
4 to 6  
12 to 18  
1500  
Nm  
Nm  
g
Busbars to terminals  
Mass  
ORDERING INFORMATION : AFF150 S 33  
(*) 6000V available on request.  
Add HVI to the desired code in  
VRRM/100  
standard specification  
phase of order, i.e. AFF230HVIS26  
123

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