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79C2040BRT4RFK-15

更新时间： 2024-01-29 06:01:31

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麦斯威 - MAXWELL		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器内存集成电路
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EEPROM,

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79C2040BRT4RFK-15 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLATPACK-100
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.59
最长访问时间：	150 ns	数据轮询：	YES
数据保留时间-最小值：	10	耐久性：	10000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-XDFP-F100	长度：	34.6964 mm
内存密度：	20971520 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	40	功能数量：	1
端子数量：	100	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	512KX40	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	DFP	封装等效代码：	FL100,.9,25
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK
页面大小：	128 words	并行/串行：	PARALLEL
就绪/忙碌：	YES	座面最大高度：	10.6426 mm
最大待机电流：	0.00064 A	最大压摆率：	0.25 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子形式：	FLAT	端子节距：	0.635 mm
端子位置：	DUAL	切换位：	NO
宽度：	22.7838 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	10 ms
写保护：	HARDWARE/SOFTWARE	Base Number Matches：	1

79C2040BRT4RFK-15 数据手册

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79C2040B

20 Megabit (512K x 40-Bit)

EEPROM MCM

Logic Diagram

DESCRIPTION:

FEATURES:

Maxwell Technologies’ 79C2040B multi-chip module (MCM)

memory features a greater than 100 krad (Si) total dose toler-

ance, dependent upon orbit. Using Maxwell Technologies’ pat-

ented radiation-hardened R^AD-PAK® MCM packaging

technology, the 79C2040B is the first radiation-hardened 20

megabit MCM EEPROM for space application. The 79C2040B

uses twenty 1 Megabit high speed CMOS die to yield a 20

megabit product. The 79C2040B is capable of in-system elec-

trical byte and page programmability. It has a 128 word page

programming function to make the erase and write operations

faster. It also features Data Polling and a Ready/Busy signal to

indicate the completion of erase and programming operations.

In the 79C2040B, hardware data protection is provided with

the RES pin, in addition to noise protection on the WE signal

and write inhibit on power on and off. Software data protection

is implemented using the JEDEC optional standard algorithm.

512k x 40-bit EEPROM MCM

•

RAD-PAK® radiation-hardened against natural

space radiation

Total dose hardness:

- >100 krad (Si)

- Dependent upon orbit

•

Excellent Single event effects @ 25^°C

- SEL_TH> 120 MeV cm²/mg (Device)

- SEU_TH> 90 MeV cm²/mg(Memory Cells)

- SEU _TH> 18 MeV cm²/mg (Write Mode)

- SET_TH> 40 MeV cm²/mg (Read Mode)

High endurance

- 10,000 cycles/byte (Page Programming Mode)

- 10 year data retention

•

Page Write Mode: 128 Dword Page

High Speed:

Maxwell Technologies' patented R^AD-PAK® packaging technol-

ogy incorporates radiation shielding in the microcircuit pack-

age. It eliminates the need for box shielding while providing

the required radiation shielding for a lifetime in orbit or space

mission. In a GEO orbit, R^AD-PAK® provides greater than 100

krad (Si) radiation dose tolerance. This product is available

with screening up to Maxwell Technologies’ self-defined Class

- 150 and 200 ns maximum access times

Automatic programming

- 10 ms automatic Page/Dword write

Low power dissipation

- 375 mW/MHz active current

- 3. 2 mW standby current

•

09.15.15 Rev 4

All data sheets are subject to change without notice

(858) 503-3300 - Fax: (858) 503-3301 - www.maxwell.com

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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