71V546S133PFG - INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY
- 型号：
- 71V546S133PFG
- 品牌Logo:
-
- 文档大小：
- 21页 / 1003K
- 产品描述：
- 128K x 36, 3.3V Synchronous SRAM with ZBT⢠Feature, Burst Counter and Pipelined Outputs
- 参数详情
- Brand Name
- Integrated Device Technology
- 是否无铅
- 不含铅
- 是否Rohs认证
- 符合
- 生命周期
- Active
- 零件包装代码
- TQFP
- 包装说明
- LQFP, QFP100,.63X.87
- 针数
- 100
- 制造商包装代码
- PKG100
- Reach Compliance Code
- compliant
- ECCN代码
- 3A991.B.2.A
- HTS代码
- 8542.32.00.41
- 风险等级
- 5.17
- 最长访问时间
- 4.2 ns
- 其他特性
- PIPELINED ARCHITECTURE
- 最大时钟频率 (fCLK)
- 133 MHz
- I/O 类型
- COMMON
- JESD-30 代码
- R-PQFP-G100
- JESD-609代码
- e3
- 长度
- 20 mm
- 内存密度
- 4718592 bit
- 内存集成电路类型
- ZBT SRAM
- 内存宽度
- 36
- 湿度敏感等级
- 3
- 功能数量
- 1
- 端子数量
- 100
- 字数
- 131072 words
- 字数代码
- 128000
- 工作模式
- SYNCHRONOUS
- 最高工作温度
- 85 °C
- 最低工作温度
- -40 °C
- 组织
- 128KX36
- 输出特性
- 3-STATE
- 封装主体材料
- PLASTIC/EPOXY
- 封装代码
- LQFP
- 封装等效代码
- QFP100,.63X.87
- 封装形状
- RECTANGULAR
- 封装形式
- FLATPACK, LOW PROFILE
- 并行/串行
- PARALLEL
- 峰值回流温度（摄氏度）
- 260
- 电源
- 3.3 V
- 认证状态
- Not Qualified
- 座面最大高度
- 1.6 mm
- 最大待机电流
- 0.045 A
- 最小待机电流
- 3.14 V
- 子类别
- SRAMs
- 最大压摆率
- 0.31 mA
- 最大供电电压 (Vsup)
- 3.465 V
- 最小供电电压 (Vsup)
- 3.135 V
- 标称供电电压 (Vsup)
- 3.3 V
- 表面贴装
- YES
- 技术
- CMOS
- 温度等级
- INDUSTRIAL
- 端子面层
- Matte Tin (Sn) - annealed
- 端子形式
- GULL WING
- 端子节距
- 0.65 mm
- 端子位置
- QUAD
- 处于峰值回流温度下的最长时间
- 30
- 宽度
- 14 mm
- Base Number Matches
- 1
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