71V3558S133BGG8 - INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY
- 型号：
- 71V3558S133BGG8
- 品牌Logo:
-
- 文档大小：
- 29页 / 2166K
- 产品描述：
- ZBT SRAM, 256KX18, 4.2ns, CMOS, PBGA119
- 参数详情
- 是否无铅
- 不含铅
- 是否Rohs认证
- 符合
- 生命周期
- Active
- IHS 制造商
- INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
- 包装说明
- BGA, BGA119,7X17,50
- Reach Compliance Code
- compliant
- 风险等级
- 5.27
- Is Samacsys
- N
- 最长访问时间
- 4.2 ns
- 最大时钟频率 (fCLK)
- 133 MHz
- I/O 类型
- COMMON
- JESD-30 代码
- R-PBGA-B119
- JESD-609代码
- e1
- 内存密度
- 4718592 bit
- 内存集成电路类型
- ZBT SRAM
- 内存宽度
- 18
- 湿度敏感等级
- 3
- 端子数量
- 119
- 字数
- 262144 words
- 字数代码
- 256000
- 工作模式
- SYNCHRONOUS
- 最高工作温度
- 70 °C
- 最低工作温度
- 组织
- 256KX18
- 输出特性
- 3-STATE
- 封装主体材料
- PLASTIC/EPOXY
- 封装代码
- BGA
- 封装等效代码
- BGA119,7X17,50
- 封装形状
- RECTANGULAR
- 封装形式
- GRID ARRAY
- 并行/串行
- PARALLEL
- 峰值回流温度（摄氏度）
- 260
- 电源
- 3.3 V
- 认证状态
- Not Qualified
- 最大待机电流
- 0.04 A
- 最小待机电流
- 3.14 V
- 子类别
- SRAMs
- 最大压摆率
- 0.3 mA
- 标称供电电压 (Vsup)
- 3.3 V
- 表面贴装
- YES
- 技术
- CMOS
- 温度等级
- COMMERCIAL
- 端子面层
- Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
- 端子形式
- BALL
- 端子节距
- 1.27 mm
- 端子位置
- BOTTOM
- 处于峰值回流温度下的最长时间
- 30
- Base Number Matches
- 1
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