71V2558S100PF9 - INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY
- 型号：
- 71V2558S100PF9
- 品牌Logo:
-
- 应用标签：
- 静态存储器
- 文档大小：
- 28页 / 502K
- 产品描述：
- TQFP-100, Tray
- 参数详情
- 是否Rohs认证
- 不符合
- 生命周期
- Obsolete
- IHS 制造商
- INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
- 零件包装代码
- QFP
- 包装说明
- 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, MO-136DJ, TQFP-100
- 针数
- 100
- Reach Compliance Code
- not_compliant
- ECCN代码
- 3A991
- HTS代码
- 8542.32.00.41
- 风险等级
- 5.4
- Is Samacsys
- N
- 最长访问时间
- 5 ns
- 其他特性
- PIPELINED ARCHITECTURE
- 最大时钟频率 (fCLK)
- 100 MHz
- I/O 类型
- COMMON
- JESD-30 代码
- R-PQFP-G100
- JESD-609代码
- e0
- 长度
- 20 mm
- 内存密度
- 4718592 bit
- 内存集成电路类型
- ZBT SRAM
- 内存宽度
- 36
- 湿度敏感等级
- 3
- 功能数量
- 1
- 端子数量
- 100
- 字数
- 131072 words
- 字数代码
- 128000
- 工作模式
- SYNCHRONOUS
- 最高工作温度
- 85 °C
- 最低工作温度
- -40 °C
- 组织
- 128KX36
- 输出特性
- 3-STATE
- 封装主体材料
- PLASTIC/EPOXY
- 封装代码
- LQFP
- 封装等效代码
- QFP100,.63X.87
- 封装形状
- RECTANGULAR
- 封装形式
- FLATPACK, LOW PROFILE
- 并行/串行
- PARALLEL
- 峰值回流温度（摄氏度）
- 240
- 电源
- 2.5,3.3 V
- 认证状态
- Not Qualified
- 座面最大高度
- 1.6 mm
- 最大待机电流
- 0.04 A
- 最小待机电流
- 3.14 V
- 子类别
- SRAMs
- 最大压摆率
- 0.25 mA
- 最大供电电压 (Vsup)
- 3.465 V
- 最小供电电压 (Vsup)
- 3.135 V
- 标称供电电压 (Vsup)
- 3.3 V
- 表面贴装
- YES
- 技术
- CMOS
- 温度等级
- INDUSTRIAL
- 端子面层
- Tin/Lead (Sn85Pb15)
- 端子形式
- GULL WING
- 端子节距
- 0.65 mm
- 端子位置
- QUAD
- 处于峰值回流温度下的最长时间
- 20
- 宽度
- 14 mm
- Base Number Matches
- 1
相关文档
-
28页
71V2558S100PFGI
ZBT SRAM, 256KX18, 5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MO-136DJ, TQFP-100
一键下载
-
28页
-
28页