70V7599S166BCI
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70V7599S166BCI - INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY
型号:
70V7599S166BCI
品牌Logo:
品牌名称:
IDT [ INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY ]
应用标签:
存储内存集成电路静态存储器时钟
文档大小:
22页 / 225K
产品描述:
HIGH-SPEED 3.3V 128K x 36 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
  • 参数详情
Brand Name
Integrated Device Technology
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
生命周期
Obsolete
IHS 制造商
INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
零件包装代码
PQFP
包装说明
28 X 28 MM, 3.50 MM HEIGHT, PLASTIC, QFP-208
针数
208
制造商包装代码
DR208
Reach Compliance Code
not_compliant
ECCN代码
3A991
HTS代码
8542.32.00.41
风险等级
5.33
Is Samacsys
N
最长访问时间
12 ns
其他特性
FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)
166 MHz
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
S-PQFP-G208
JESD-609代码
e0
长度
28 mm
内存密度
4718592 bit
内存集成电路类型
DUAL-PORT SRAM
内存宽度
36
湿度敏感等级
3
功能数量
1
端口数量
2
端子数量
208
字数
131072 words
字数代码
128000
工作模式
SYNCHRONOUS
最高工作温度
85 °C
最低工作温度
-40 °C
组织
128KX36
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
FQFP
封装等效代码
QFP208,1.2SQ,20
封装形状
SQUARE
封装形式
FLATPACK, FINE PITCH
并行/串行
PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)
225
电源
2.5/3.3,3.3 V
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
4.1 mm
最大待机电流
0.04 A
最小待机电流
3.15 V
子类别
SRAMs
最大压摆率
0.83 mA
最大供电电压 (Vsup)
3.45 V
最小供电电压 (Vsup)
3.15 V
标称供电电压 (Vsup)
3.3 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
INDUSTRIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
GULL WING
端子节距
0.5 mm
端子位置
QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间
20
宽度
28 mm
Base Number Matches
1

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