70V7519S200BFI - INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY
- 型号：
- 70V7519S200BFI
- 品牌Logo:
-
- 应用标签：
- 文档大小：
- 22页 / 226K
- 产品描述：
- HIGH-SPEED 3.3V 256K x 36 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
- 参数详情
- Brand Name
- Integrated Device Technology
- 是否无铅
- 不含铅
- 是否Rohs认证
- 符合
- 生命周期
- Active
- IHS 制造商
- INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
- 零件包装代码
- CABGA
- 包装说明
- BGA,
- 针数
- 256
- 制造商包装代码
- BCG256
- Reach Compliance Code
- compliant
- ECCN代码
- 3A991.B.2.A
- HTS代码
- 8542.32.00.41
- 风险等级
- 5.7
- 最长访问时间
- 3.4 ns
- 其他特性
- PIPELINED OR FLOW THROUGH ARCHITECTURE
- JESD-30 代码
- S-PBGA-B256
- JESD-609代码
- e1
- 内存密度
- 9437184 bit
- 内存集成电路类型
- DUAL-PORT SRAM
- 内存宽度
- 36
- 湿度敏感等级
- 3
- 功能数量
- 1
- 端子数量
- 256
- 字数
- 262144 words
- 字数代码
- 256000
- 工作模式
- SYNCHRONOUS
- 最高工作温度
- 70 °C
- 最低工作温度
- 组织
- 256KX36
- 封装主体材料
- PLASTIC/EPOXY
- 封装代码
- BGA
- 封装形状
- SQUARE
- 封装形式
- GRID ARRAY
- 并行/串行
- PARALLEL
- 峰值回流温度（摄氏度）
- 260
- 最大供电电压 (Vsup)
- 3.45 V
- 最小供电电压 (Vsup)
- 3.15 V
- 标称供电电压 (Vsup)
- 3.3 V
- 表面贴装
- YES
- 技术
- CMOS
- 温度等级
- COMMERCIAL
- 端子面层
- Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
- 端子形式
- BALL
- 端子位置
- BOTTOM
- 处于峰值回流温度下的最长时间
- NOT SPECIFIED
- Base Number Matches
- 1
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70V7519S200DR
HIGH-SPEED 3.3V 256K x 36 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
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