70T631S10DDG - INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY
- 型号：
- 70T631S10DDG
- 品牌Logo:
-
- 应用标签：
- 静态存储器
- 文档大小：
- 27页 / 220K
- 产品描述：
- Dual-Port SRAM, 256KX18, 10ns, CMOS, PQFP144, 20 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-144
- 参数详情
- 是否无铅
- 不含铅
- 是否Rohs认证
- 符合
- 生命周期
- Obsolete
- 零件包装代码
- QFP
- 包装说明
- LFQFP, QFP144,.87SQ,20
- 针数
- 144
- Reach Compliance Code
- compliant
- ECCN代码
- 3A991.B.2.A
- HTS代码
- 8542.32.00.41
- 风险等级
- 5.72
- 最长访问时间
- 12 ns
- I/O 类型
- COMMON
- JESD-30 代码
- S-PQFP-G144
- JESD-609代码
- e3
- 长度
- 20 mm
- 内存密度
- 9437184 bit
- 内存集成电路类型
- DUAL-PORT SRAM
- 内存宽度
- 18
- 功能数量
- 1
- 端口数量
- 2
- 端子数量
- 144
- 字数
- 524288 words
- 字数代码
- 512000
- 工作模式
- ASYNCHRONOUS
- 最高工作温度
- 85 °C
- 最低工作温度
- -40 °C
- 组织
- 512KX18
- 输出特性
- 3-STATE
- 封装主体材料
- PLASTIC/EPOXY
- 封装代码
- LFQFP
- 封装等效代码
- QFP144,.87SQ,20
- 封装形状
- SQUARE
- 封装形式
- FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH
- 并行/串行
- PARALLEL
- 峰值回流温度（摄氏度）
- 260
- 电源
- 2.5,2.5/3.3 V
- 认证状态
- Not Qualified
- 座面最大高度
- 1.6 mm
- 最大待机电流
- 0.02 A
- 最小待机电流
- 2.4 V
- 子类别
- SRAMs
- 最大压摆率
- 0.395 mA
- 最大供电电压 (Vsup)
- 2.6 V
- 最小供电电压 (Vsup)
- 2.4 V
- 标称供电电压 (Vsup)
- 2.5 V
- 表面贴装
- YES
- 技术
- CMOS
- 温度等级
- INDUSTRIAL
- 端子面层
- Matte Tin (Sn)
- 端子形式
- GULL WING
- 端子节距
- 0.5 mm
- 端子位置
- QUAD
- 处于峰值回流温度下的最长时间
- 30
- 宽度
- 20 mm
- Base Number Matches
- 1
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70T631S12BCGI
Dual-Port SRAM, 256KX18, 12ns, CMOS, PBGA256, 17 X 17 MM, 1.40 HEIGHT, 1 MM PITCH, GREEN, BGA-256
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