生命周期: | Obsolete | 包装说明: | DIP, |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.31 |
最长访问时间: | 150 ns | 其他特性: | 10000 WRITE ENDURANCE CYCLES; 10 YEARS OF DATA RETENTION |
数据保留时间-最小值: | 10 | 耐久性: | 10000 Write/Erase Cycles |
JESD-30 代码: | R-CDIP-T32 | 内存密度: | 1048576 bit |
内存集成电路类型: | EEPROM MODULE | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 32 |
字数: | 131072 words | 字数代码: | 128000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 128KX8 |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码: | DIP |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL | 编程电压: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 筛选级别: | MIL-PRF-38534 Class H |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 最长写入周期时间 (tWC): | 10 ms |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
5962-9315501HXX | ETC | x8 EEPROM |
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5962-9315501HYX | MICROSEMI | EEPROM Module, 256KX8, 200ns, Parallel, CMOS, CDIP32, HERMETIC SEALED, BOTTOM BRAZED, CERA |
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5962-9315502HXC | WEDC | IC 256K X 8 EEPROM 5V MODULE, 150 ns, CDIP32, DUAL CAVITY, SIDE BRAZED, HERMETIC SEALED, C |
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5962-9315502HXX | ETC | x8 EEPROM |
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5962-9315502HYX | MICROSEMI | EEPROM Module, 256KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CDIP32, HERMETIC SEALED, BOTTOM BRAZED, CERA |
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5962-931552HYX | MERCURY | EEPROM |
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