5962-9089901MXX - ETC
- 型号：
- 5962-9089901MXX
- 品牌Logo:
-
- 品牌名称：
- ETC [ ETC ]
- 文档大小：
- 27页 / 208K
- 产品描述：
- MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAA, CMOS, 128K X 8 BIT FLASH EEPROM, MONOLITHIC SILICON
- 参数详情
- 生命周期
- Active
- 零件包装代码
- QFJ
- 包装说明
- QCCN, LCC32,.45X.55
- 针数
- 32
- Reach Compliance Code
- compliant
- ECCN代码
- 3A001.A.2.C
- HTS代码
- 8542.32.00.51
- 风险等级
- 5.58
- 最长访问时间
- 250 ns
- 命令用户界面
- YES
- 数据轮询
- NO
- 耐久性
- 10000 Write/Erase Cycles
- JESD-30 代码
- R-CQCC-N32
- JESD-609代码
- e0
- 内存密度
- 1048576 bit
- 内存集成电路类型
- FLASH
- 内存宽度
- 8
- 功能数量
- 1
- 端子数量
- 32
- 字数
- 131072 words
- 字数代码
- 128000
- 工作模式
- ASYNCHRONOUS
- 最高工作温度
- 125 °C
- 最低工作温度
- -55 °C
- 组织
- 128KX8
- 封装主体材料
- CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
- 封装代码
- QCCN
- 封装等效代码
- LCC32,.45X.55
- 封装形状
- RECTANGULAR
- 封装形式
- CHIP CARRIER
- 并行/串行
- PARALLEL
- 电源
- 5 V
- 编程电压
- 12 V
- 认证状态
- Qualified
- 筛选级别
- MIL-PRF-38535 Class Q
- 最大待机电流
- 0.0001 A
- 子类别
- Flash Memories
- 最大压摆率
- 0.03 mA
- 最大供电电压 (Vsup)
- 5.5 V
- 最小供电电压 (Vsup)
- 4.5 V
- 标称供电电压 (Vsup)
- 5 V
- 表面贴装
- YES
- 技术
- CMOS
- 温度等级
- MILITARY
- 端子面层
- TIN LEAD
- 端子形式
- NO LEAD
- 端子节距
- 1.27 mm
- 端子位置
- QUAD
- 切换位
- NO
- 类型
- NOR TYPE
- Base Number Matches
- 1
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5962-9089901MYX
MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAA, CMOS, 128K X 8 BIT FLASH EEPROM, MONOLITHIC SILICON
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