是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | DIP, DIP18,.3 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | 3A001.A.2.C | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.91 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 12 ns | JESD-30 代码: | R-GDIP-T18 |
JESD-609代码: | e0 | 内存密度: | 64 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 4 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 18 | 字数: | 16 words |
字数代码: | 16 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 16X4 | 输出特性: | 3-STATE |
可输出: | YES | 封装主体材料: | CERAMIC, GLASS-SEALED |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP18,.3 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 5.08 mm | 子类别: | Other Memory ICs |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | TTL | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 7.62 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
54F410DMQB | TI | 16X4 STANDARD SRAM, 35ns, CDIP18 |
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54F410FM | NSC | IC 16 X 4 STANDARD SRAM, CDFP18, FP-18, Static RAM |
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54F410FMQB | ETC | REGISTER FILE|F-TTL|FP|CERAMIC |
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54F410LM | NSC | Register Stacká16 x 4 RAM TRI-STATEE Output R |
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54F410LM | TI | 16X4 STANDARD SRAM, 12ns, CDFP20, CERPACK-20 |
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54F410LMQB | TI | 16X4 STANDARD SRAM, 35ns, CQCC20 |
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