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54F410DM

更新时间: 2024-02-11 12:45:45
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德州仪器 - TI 静态存储器
页数 文件大小 规格书
8页 182K
描述
16X4 STANDARD SRAM, 12ns, CDIP18, CERAMIC, DIP-18

54F410DM 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DIP, DIP18,.3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:3A001.A.2.CHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.91Is Samacsys:N
最长访问时间:12 nsJESD-30 代码:R-GDIP-T18
JESD-609代码:e0内存密度:64 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:4
功能数量:1端口数量:1
端子数量:18字数:16 words
字数代码:16工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:16X4输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码:DIP封装等效代码:DIP18,.3
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:5.08 mm子类别:Other Memory ICs
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:TTL温度等级:MILITARY
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:7.62 mm
Base Number Matches:1

54F410DM 数据手册

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