54F219DM - FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
- 型号：
- 54F219DM
- 品牌Logo:
-
- 文档大小：
- 6页 / 231K
- 产品描述：
- Standard SRAM, 16X4, 23ns, CMOS, CDIP16, CERAMIC, DIP-16
- 参数详情
- 是否Rohs认证
- 不符合
- 生命周期
- Obsolete
- IHS 制造商
- FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
- 零件包装代码
- DIP
- 包装说明
- DIP, DIP16,.3
- 针数
- 16
- Reach Compliance Code
- unknown
- ECCN代码
- 3A001.A.2.C
- HTS代码
- 8542.32.00.41
- 风险等级
- 5.86
- 最长访问时间
- 23 ns
- JESD-30 代码
- R-GDIP-T16
- JESD-609代码
- e0
- 长度
- 19.43 mm
- 内存密度
- 64 bit
- 内存集成电路类型
- STANDARD SRAM
- 内存宽度
- 4
- 功能数量
- 1
- 端子数量
- 16
- 字数
- 16 words
- 字数代码
- 16
- 工作模式
- ASYNCHRONOUS
- 最高工作温度
- 125 °C
- 最低工作温度
- -55 °C
- 组织
- 16X4
- 输出特性
- 3-STATE
- 封装主体材料
- CERAMIC, GLASS-SEALED
- 封装代码
- DIP
- 封装等效代码
- DIP16,.3
- 封装形状
- RECTANGULAR
- 封装形式
- IN-LINE
- 并行/串行
- PARALLEL
- 峰值回流温度（摄氏度）
- NOT SPECIFIED
- 电源
- 5 V
- 认证状态
- Not Qualified
- 座面最大高度
- 5.08 mm
- 子类别
- SRAMs
- 最大供电电压 (Vsup)
- 5.5 V
- 最小供电电压 (Vsup)
- 4.5 V
- 标称供电电压 (Vsup)
- 5 V
- 表面贴装
- NO
- 技术
- CMOS
- 温度等级
- MILITARY
- 端子面层
- Tin/Lead (Sn/Pb)
- 端子形式
- THROUGH-HOLE
- 端子节距
- 2.54 mm
- 端子位置
- DUAL
- 处于峰值回流温度下的最长时间
- NOT SPECIFIED
- 宽度
- 7.62 mm
