3N190 - Intersil
- 型号：
- 3N190
- 品牌Logo:
-
- 品牌名称：
- INTERSIL [ Intersil ]
- 文档大小：
- 2页 / 79K
- 产品描述：
- DUAL P CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
- 参数详情
- 生命周期
- Active
- 包装说明
- UNCASED CHIP, R-XUUC-X7
- Reach Compliance Code
- unknown
- 风险等级
- 5.7
- 外壳连接
- SUBSTRATE
- 配置
- SEPARATE, 2 ELEMENTS
- 最小漏源击穿电压
- 40 V
- 最大漏极电流 (ID)
- 0.05 A
- 最大漏源导通电阻
- 300 Ω
- FET 技术
- METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 最大反馈电容 (Crss)
- 1 pF
- JESD-30 代码
- R-XUUC-X7
- 元件数量
- 2
- 端子数量
- 7
- 工作模式
- ENHANCEMENT MODE
- 最高工作温度
- 150 °C
- 最低工作温度
- -55 °C
- 封装主体材料
- UNSPECIFIED
- 封装形状
- RECTANGULAR
- 封装形式
- UNCASED CHIP
- 极性/信道类型
- P-CHANNEL
- 端子形式
- UNSPECIFIED
- 端子位置
- UPPER
- 晶体管元件材料
- SILICON
- Base Number Matches
- 1
