是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.37 |
Is Samacsys: | N | 配置: | SINGLE |
最小漏源击穿电压: | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 0.05 A |
最大漏源导通电阻: | 350 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最大反馈电容 (Crss): | 1 pF | JEDEC-95代码: | TO-72 |
JESD-30 代码: | O-MBCY-W4 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 4 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 200 °C | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | CYLINDRICAL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | P-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 0.375 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | NO |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
3N187 | NJSEMI | N-CHANNEL, DUAL-GATE TETRODE MOSFET |
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3N187 | SILICON DUAL INSULATED-GATE FIELD-EFFECT TRANSISTOR |
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3N188 | INTERSIL | DUAL P CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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3N188 | NJSEMI | Trans MOSFET N-CH 25V 0.03A |
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3N189 | INTERSIL | DUAL P CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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3N189 | NJSEMI | Trans MOSFET N-CH 25V 0.03A |
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