2SK3566 - HITACHI SEMICONDUCTOR
- 型号：
- 2SK3566
- 品牌Logo:
-
- 文档大小：
- 3页 / 210K
- 产品描述：
- Silicon N-Channel MOS FET, High Speed Power Switching
- 参数详情
- 生命周期
- Active
- IHS 制造商
- TOSHIBA CORP
- 零件包装代码
- SC-67
- 包装说明
- 2-10U1B, SC-67, 3 PIN
- 针数
- 3
- Reach Compliance Code
- unknown
- 风险等级
- 5.22
- Is Samacsys
- N
- 雪崩能效等级（Eas）
- 216 mJ
- 外壳连接
- ISOLATED
- 配置
- SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 最小漏源击穿电压
- 900 V
- 最大漏极电流 (ID)
- 2.5 A
- 最大漏源导通电阻
- 6.4 Ω
- FET 技术
- METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- JESD-30 代码
- R-PSFM-T3
- JESD-609代码
- e0
- 元件数量
- 1
- 端子数量
- 3
- 工作模式
- ENHANCEMENT MODE
- 封装主体材料
- PLASTIC/EPOXY
- 封装形状
- RECTANGULAR
- 封装形式
- FLANGE MOUNT
- 极性/信道类型
- N-CHANNEL
- 最大脉冲漏极电流 (IDM)
- 7.5 A
- 认证状态
- Not Qualified
- 表面贴装
- NO
- 端子面层
- TIN LEAD
- 端子形式
- THROUGH-HOLE
- 端子位置
- SINGLE
- 晶体管应用
- SWITCHING
- 晶体管元件材料
- SILICON
- Base Number Matches
- 1
