2SK3018 - GUILIN STRONG MICRO-ELECTRONICS CO., LTD.
- 型号：
- 2SK3018
- 品牌Logo:
-
- 应用标签：
- 文档大小：
- 3页 / 303K
- 产品描述：
- N-Channel Enhancement-Mode MOS FETs
- 参数详情
- 是否Rohs认证
- 符合
- 生命周期
- Active
- 包装说明
- SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
- Reach Compliance Code
- compliant
- ECCN代码
- EAR99
- 风险等级
- 5.66
- 配置
- SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 最小漏源击穿电压
- 30 V
- 最大漏极电流 (ID)
- 0.1 A
- 最大漏源导通电阻
- 8 Ω
- FET 技术
- METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- JESD-30 代码
- R-PDSO-F3
- 元件数量
- 1
- 端子数量
- 3
- 工作模式
- ENHANCEMENT MODE
- 封装主体材料
- PLASTIC/EPOXY
- 封装形状
- RECTANGULAR
- 封装形式
- SMALL OUTLINE
- 峰值回流温度（摄氏度）
- NOT SPECIFIED
- 极性/信道类型
- N-CHANNEL
- 表面贴装
- YES
- 端子形式
- FLAT
- 端子位置
- DUAL
- 处于峰值回流温度下的最长时间
- NOT SPECIFIED
- 晶体管应用
- SWITCHING
- 晶体管元件材料
- SILICON
- Base Number Matches
- 1
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