2SK1070 - HITACHI SEMICONDUCTOR
- 型号：
- 2SK1070
- 品牌Logo:
-
- 文档大小：
- 5页 / 27K
- 产品描述：
- Silicon N-Channel Junction FET
- 参数详情
- 是否无铅
- 不含铅
- 是否Rohs认证
- 符合
- 生命周期
- Obsolete
- IHS 制造商
- RENESAS ELECTRONICS CORP
- 包装说明
- SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
- 针数
- 3
- Reach Compliance Code
- compliant
- ECCN代码
- EAR99
- HTS代码
- 8541.21.00.95
- 风险等级
- 5.47
- 配置
- SINGLE
- 最大漏极电流 (ID)
- 0.05 A
- FET 技术
- JUNCTION
- JESD-30 代码
- R-PDSO-G3
- JESD-609代码
- e6
- 湿度敏感等级
- 1
- 元件数量
- 1
- 端子数量
- 3
- 工作模式
- DEPLETION MODE
- 最高工作温度
- 150 °C
- 封装主体材料
- PLASTIC/EPOXY
- 封装形状
- RECTANGULAR
- 封装形式
- SMALL OUTLINE
- 峰值回流温度（摄氏度）
- 260
- 极性/信道类型
- N-CHANNEL
- 最大功率耗散 (Abs)
- 0.15 W
- 认证状态
- Not Qualified
- 子类别
- Other Transistors
- 表面贴装
- YES
- 端子面层
- Tin/Bismuth (Sn/Bi)
- 端子形式
- GULL WING
- 端子位置
- DUAL
- 处于峰值回流温度下的最长时间
- 20
- 晶体管应用
- AMPLIFIER
- 晶体管元件材料
- SILICON
