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2SJ643

更新时间： 2024-02-12 05:04:02

品牌	Logo	应用领域
三洋 - SANYO		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	314K
描述
P CHANNEL MOS SILICON TRANSISTOR

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数据手册

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2SJ643 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.32	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (ID)：	6 A	最大漏源导通电阻：	0.16 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
极性/信道类型：	P-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SJ643 数据手册

注文コードNo. N 7 3 0 9

2SJ643

N 7309

83002

新

P チャネルM OS 形シリコン電界効果トランジスタ

2SJ643

超高速スイッチング用

特長・低オン抵抗。

・1.8V 駆動。

絶対最大定格AbsoluteM axim um Ratings/Ta=25℃

unit

ドレイン・ソース電圧

ゲート・ソース電圧

－20

DSS

GSS

±10

(

ドレイン電流 DC

)

－6

(

ドレイン電流パルス

)

PW ≦10µs,dutycycle≦1%

－24

許容損失

Tc=25℃

150

チャネル温度

保存周囲温度

Tch

℃

Tstg

－55～＋150

電気的特性ElectricalCharacteristics/Ta=25℃

m in

typ

m ax unit

ドレイン・ソース降伏電圧

ドレイン・ソースしゃ断電流

ゲート・ソースもれ電流

ゲート・ソースしゃ断電圧

順伝達アドミタンス

I =－1m A,V =0

－20

(BR)DSS

DSS

=－20V,V =0

－10

±10

－1.0

µA

GSS

=±8V,V =0

(off)

=－10V,I =－1m A

－0.3

2.1

yfs

=－10V,I =－3A

次ページへ続く。

単体品名表示:J643

外形図ꢀ2083B

外形図ꢀ2092B

(unit:m m )

6.5

2.3

6.5

2.3

5.0

0.5

0.85

0.7

0.85

1.2

1:Gate

0.6

1.2

0～0.2

2:Drain

3:Source

4:Drain

0.6

0.5

1:Gate

2:Drain

3:Source

4:Drain

2.3

SANYO :TP-FA

2.3

SANYO :TP

〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号

83002TS IM ◎佐藤TA-100036 No.7309-1/4

12 3 4

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与2SJ643相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SJ645	SANYO	P CHANNEL MOS SILICON TRANSISTOR	获取价格
2SJ646	SANYO	2SJ646	获取价格
2SJ647	NEC	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR	获取价格
2SJ647	RENESAS	400mA, 20V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, SSP, SC-70, 3 PIN	获取价格
2SJ647-A	NEC	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.4A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal	获取价格
2SJ647-AT	RENESAS	TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,20V V(BR)DSS,400MA I(D),SC-70	获取价格