2SJ635 - SANYO SEMICON DEVICE
- 型号：
- 2SJ635
- 品牌Logo:
-
- 文档大小：
- 4页 / 39K
- 产品描述：
- P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications
- 参数详情
- 生命周期
- Transferred
- 包装说明
- SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
- 针数
- 3
- Reach Compliance Code
- unknown
- ECCN代码
- EAR99
- HTS代码
- 8541.29.00.95
- 风险等级
- 5.34
- 外壳连接
- DRAIN
- 配置
- SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 最小漏源击穿电压
- 60 V
- 最大漏极电流 (ID)
- 1.2 A
- 最大漏源导通电阻
- 0.092 Ω
- FET 技术
- METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- JESD-30 代码
- R-PSSO-G2
- 元件数量
- 1
- 端子数量
- 2
- 工作模式
- ENHANCEMENT MODE
- 封装主体材料
- PLASTIC/EPOXY
- 封装形状
- RECTANGULAR
- 封装形式
- SMALL OUTLINE
- 极性/信道类型
- P-CHANNEL
- 认证状态
- Not Qualified
- 表面贴装
- YES
- 端子形式
- GULL WING
- 端子位置
- SINGLE
- 晶体管应用
- SWITCHING
- 晶体管元件材料
- SILICON
- Base Number Matches
- 1
