2SJ529S-E - RENESAS TECHNOLOGY CORP
- 型号：
- 2SJ529S-E
- 品牌Logo:
-
- 文档大小：
- 14页 / 77K
- 产品描述：
- 10A, 60V, 0.24ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, DPAK-3
- 参数详情
- 是否无铅
- 不含铅
- 是否Rohs认证
- 符合
- 生命周期
- Active
- 包装说明
- SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
- 针数
- 3
- Reach Compliance Code
- compliant
- ECCN代码
- EAR99
- 风险等级
- 5.15
- 外壳连接
- DRAIN
- 配置
- SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 最小漏源击穿电压
- 60 V
- 最大漏极电流 (ID)
- 10 A
- 最大漏源导通电阻
- 0.24 Ω
- FET 技术
- METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- JESD-30 代码
- R-PSSO-G2
- JESD-609代码
- e6
- 湿度敏感等级
- 1
- 元件数量
- 1
- 端子数量
- 2
- 工作模式
- ENHANCEMENT MODE
- 封装主体材料
- PLASTIC/EPOXY
- 封装形状
- RECTANGULAR
- 封装形式
- SMALL OUTLINE
- 峰值回流温度（摄氏度）
- 245
- 极性/信道类型
- P-CHANNEL
- 最大脉冲漏极电流 (IDM)
- 40 A
- 认证状态
- Not Qualified
- 表面贴装
- YES
- 端子面层
- TIN BISMUTH
- 端子形式
- GULL WING
- 端子位置
- SINGLE
- 处于峰值回流温度下的最长时间
- 20
- 晶体管应用
- SWITCHING
- 晶体管元件材料
- SILICON
- Base Number Matches
- 1
