2SJ518AZTR-E - RENESAS TECHNOLOGY CORP
- 型号：
- 2SJ518AZTR-E
- 品牌Logo:
-
- 文档大小：
- 7页 / 83K
- 产品描述：
- Silicon P Channel MOS FET
- 参数详情
- Brand Name
- Renesas
- 是否Rohs认证
- 符合
- 生命周期
- Not Recommended
- 零件包装代码
- UPAK
- 包装说明
- SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
- 针数
- 4
- 制造商包装代码
- PLZZ0004CA-A4
- Reach Compliance Code
- compliant
- ECCN代码
- EAR99
- 风险等级
- 5.26
- Is Samacsys
- N
- 外壳连接
- DRAIN
- 配置
- SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 最小漏源击穿电压
- 60 V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 2 A
- 最大漏极电流 (ID)
- 2 A
- 最大漏源导通电阻
- 0.63 Ω
- FET 技术
- METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- JESD-30 代码
- R-PSSO-F3
- JESD-609代码
- e6
- 湿度敏感等级
- 1
- 元件数量
- 1
- 端子数量
- 3
- 工作模式
- ENHANCEMENT MODE
- 最高工作温度
- 150 °C
- 封装主体材料
- PLASTIC/EPOXY
- 封装形状
- RECTANGULAR
- 封装形式
- SMALL OUTLINE
- 峰值回流温度（摄氏度）
- 260
- 极性/信道类型
- P-CHANNEL
- 最大功率耗散 (Abs)
- 1 W
- 认证状态
- Not Qualified
- 子类别
- Other Transistors
- 表面贴装
- YES
- 端子面层
- TIN BISMUTH
- 端子形式
- FLAT
- 端子位置
- SINGLE
- 处于峰值回流温度下的最长时间
- 20
- 晶体管应用
- SWITCHING
- 晶体管元件材料
- SILICON
- Base Number Matches
- 1
