2SJ476-01L
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2SJ476-01L - FUJI ELECTRIC
型号:
2SJ476-01L
品牌Logo:
品牌名称:
FUJI [ FUJI ELECTRIC ]
应用标签:
晶体晶体管功率场效应晶体管局域网
文档大小:
12页 / 350K
产品描述:
Power MOSFET
  • 参数详情
生命周期
Obsolete
IHS 制造商
COLLMER SEMICONDUCTOR INC
包装说明
IN-LINE, R-PSIP-T3
针数
3
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
风险等级
5.83
其他特性
LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED
配置
SINGLE
最小漏源击穿电压
60 V
最大漏极电流 (ID)
25 A
最大漏源导通电阻
0.11 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码
R-PSIP-T3
元件数量
1
端子数量
3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
极性/信道类型
P-CHANNEL
功耗环境最大值
50 W
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
SINGLE
晶体管元件材料
SILICON
最大关闭时间(toff)
430 ns
最大开启时间(吨)
145 ns
Base Number Matches
1

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