2SJ365 - SHINDENGEN ELECTRIC MFG.CO.LTD
- 型号：
- 2SJ365
- 品牌Logo:
-
- 应用标签：
- 文档大小：
- 1页 / 648K
- 产品描述：
- 60V SERIES POWER MOSFET
- 参数详情
- 是否Rohs认证
- 不符合
- 生命周期
- Obsolete
- IHS 制造商
- SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO LTD
- 包装说明
- IN-LINE, R-PSIP-T3
- 针数
- 3
- Reach Compliance Code
- unknown
- ECCN代码
- EAR99
- 风险等级
- 5.9
- 配置
- SINGLE
- 最小漏源击穿电压
- 60 V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 2 A
- 最大漏极电流 (ID)
- 2 A
- 最大漏源导通电阻
- 0.45 Ω
- FET 技术
- METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- JESD-30 代码
- R-PSIP-T3
- JESD-609代码
- e0
- 湿度敏感等级
- 2
- 元件数量
- 1
- 端子数量
- 3
- 工作模式
- ENHANCEMENT MODE
- 最高工作温度
- 150 °C
- 封装主体材料
- PLASTIC/EPOXY
- 封装形状
- RECTANGULAR
- 封装形式
- IN-LINE
- 极性/信道类型
- P-CHANNEL
- 功耗环境最大值
- 20 W
- 最大功率耗散 (Abs)
- 20 W
- 认证状态
- Not Qualified
- 子类别
- Other Transistors
- 表面贴装
- NO
- 端子面层
- Tin/Lead (Sn/Pb)
- 端子形式
- THROUGH-HOLE
- 端子位置
- SINGLE
- 晶体管应用
- SWITCHING
- 晶体管元件材料
- SILICON
- 最大关闭时间（toff）
- 170 ns
- 最大开启时间（吨）
- 40 ns
