是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | , | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.84 | 配置: | Single |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 2 A | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
极性/信道类型: | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 20 W |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | YES |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2SJ326-Z-T1 | RENESAS | 2SJ326-Z-T1 |
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2SJ327 | NEC | SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
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2SJ327(JM) | RENESAS | 2SJ327(JM) |
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2SJ327-AY | RENESAS | TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,60V V(BR)DSS,4A I(D),TO-251VAR |
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2SJ327-Z | NEC | SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
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2SJ327-Z-AZ | NEC | Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o |
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