- 参数详情
- 是否Rohs认证
- 不符合
- 生命周期
- Transferred
- IHS 制造商
- NEC ELECTRONICS CORP
- 包装说明
- SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
- Reach Compliance Code
- compliant
- ECCN代码
- EAR99
- HTS代码
- 8541.21.00.95
- 风险等级
- 5.2
- 配置
- SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 最小漏源击穿电压
- 16 V
- 最大漏极电流 (ID)
- 0.2 A
- 最大漏源导通电阻
- 23 Ω
- FET 技术
- METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- JESD-30 代码
- R-PDSO-G3
- JESD-609代码
- e0
- 元件数量
- 1
- 端子数量
- 3
- 工作模式
- ENHANCEMENT MODE
- 封装主体材料
- PLASTIC/EPOXY
- 封装形状
- RECTANGULAR
- 封装形式
- SMALL OUTLINE
- 峰值回流温度（摄氏度）
- NOT SPECIFIED
- 极性/信道类型
- P-CHANNEL
- 认证状态
- Not Qualified
- 表面贴装
- YES
- 端子面层
- TIN LEAD
- 端子形式
- GULL WING
- 端子位置
- DUAL
- 处于峰值回流温度下的最长时间
- NOT SPECIFIED
- 晶体管应用
- SWITCHING
- 晶体管元件材料
- SILICON
- Base Number Matches
- 1
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2SJ203-T1B
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 16V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MINIMOLD, SC-59, 3 PIN
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