2SJ196 - NEC
- 型号：
- 2SJ196
- 品牌Logo:
-
- 品牌名称：
- NEC [ NEC ]
- 文档大小：
- 6页 / 389K
- 产品描述：
- P-CHANNEL MOS FET FOR SWITCHING
- 参数详情
- 生命周期
- Transferred
- IHS 制造商
- NEC ELECTRONICS CORP
- 包装说明
- CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
- Reach Compliance Code
- unknown
- ECCN代码
- EAR99
- HTS代码
- 8541.21.00.95
- 风险等级
- 5.38
- 其他特性
- GATE PROTECTED
- 配置
- SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 最小漏源击穿电压
- 60 V
- 最大漏极电流 (ID)
- 1 A
- 最大漏源导通电阻
- 1.5 Ω
- FET 技术
- METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- JESD-30 代码
- O-PBCY-T3
- 元件数量
- 1
- 端子数量
- 3
- 工作模式
- ENHANCEMENT MODE
- 封装主体材料
- PLASTIC/EPOXY
- 封装形状
- ROUND
- 封装形式
- CYLINDRICAL
- 峰值回流温度（摄氏度）
- NOT SPECIFIED
- 极性/信道类型
- P-CHANNEL
- 认证状态
- Not Qualified
- 表面贴装
- NO
- 端子形式
- THROUGH-HOLE
- 端子位置
- BOTTOM
- 处于峰值回流温度下的最长时间
- NOT SPECIFIED
- 晶体管应用
- SWITCHING
- 晶体管元件材料
- SILICON
- Base Number Matches
- 1
