生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | TO-220AB |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.46 | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 60 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 15 A | 最大漏极电流 (ID): | 15 A |
最大漏源导通电阻: | 0.17 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-220AB | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型: | P-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 50 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 60 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | NO | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2SJ174 | HITACHI | SILICON P-CHANNEL MOS FET HIGH SPEED POWER SWITCHING |
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2SJ175 | HITACHI | Silicon P-Channel MOS FET |
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2SJ176 | HITACHI | SILICON P-CHANNEL MOS FET HIGH SPEED POWER SWITCHING |
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2SJ177 | HITACHI | SILICON P-CHANNEL MOS FET HIGH SPEED POWER SWITCHING |
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2SJ178 | NEC | P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH SPEED SWITCHING |
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2SJ178-AZ | NEC | Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o |
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