2SJ117 - HITACHI SEMICONDUCTOR
- 型号：
- 2SJ117
- 品牌Logo:
-
- 文档大小：
- 3页 / 23K
- 产品描述：
- Silicon P-Channel MOS FET
- 参数详情
- 生命周期
- Transferred
- IHS 制造商
- HITACHI LTD
- 包装说明
- FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
- Reach Compliance Code
- unknown
- 风险等级
- 5.23
- 外壳连接
- DRAIN
- 配置
- SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 最小漏源击穿电压
- 400 V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 2 A
- 最大漏极电流 (ID)
- 2 A
- 最大漏源导通电阻
- 7 Ω
- FET 技术
- METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- JEDEC-95代码
- TO-220AB
- JESD-30 代码
- R-PSFM-T3
- 元件数量
- 1
- 端子数量
- 3
- 工作模式
- ENHANCEMENT MODE
- 最高工作温度
- 150 °C
- 封装主体材料
- PLASTIC/EPOXY
- 封装形状
- RECTANGULAR
- 封装形式
- FLANGE MOUNT
- 极性/信道类型
- P-CHANNEL
- 最大功率耗散 (Abs)
- 40 W
- 最大脉冲漏极电流 (IDM)
- 4 A
- 认证状态
- Not Qualified
- 子类别
- Other Transistors
- 表面贴装
- NO
- 端子形式
- THROUGH-HOLE
- 端子位置
- SINGLE
- 晶体管应用
- SWITCHING
- 晶体管元件材料
- SILICON
- Base Number Matches
- 1
