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2SC4991

更新时间： 2024-02-08 00:51:57

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日立 - HITACHI		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	9K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN

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2SC4991 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.41
其他特性：	LOW NOISE	最大集电极电流 (IC)：	0.05 A
基于收集器的最大容量：	1.3 pF	集电极-发射极最大电压：	9 V
配置：	SINGLE	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	元件数量：	1
端子数量：	4	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	9500 MHz
Base Number Matches：	1

2SC4991 数据手册

2SC4991

Silicon NPN Bipolar Transistor

Application

VHF & UHF wide band amplifire

MPAK-4

Features

• High gain bandwidth product

f = 9.5 GHz typ

• High gain, low noise figure

PG = 14.5 dB typ,

1. Collector

2. Emitter

3. Base

NF = 1.2 dB typ at f = 900 MHz

4. Emitter

Table 1 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Item

Symbol

Ratings

Unit

———————————————————————————————————————————

Collector to base voltage

CBO

———————————————————————————————————————————

Collector to emitter voltage

CEO

———————————————————————————————————————————

Emitter to base voltage

1.5

EBO

———————————————————————————————————————————

Collector current

———————————————————————————————————————————

Collector power dissipation

150

———————————————————————————————————————————

Junction temperature

150

°C

———————————————————————————————————————————

Storage temperature

Tstg

–55 to +150

°C

———————————————————————————————————————————

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SC4992	HITACHI	Silicon NPN Bipolar Transistor	获取价格
2SC4993	HITACHI	Silicon NPN Epitaxial	获取价格
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2SC4993YS-TL	HITACHI	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili	获取价格
2SC4993YS-UL	HITACHI	暂无描述	获取价格
2SC4994	HITACHI	Silicon NPN Epitaxial	获取价格