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2SC4626C

更新时间： 2024-02-25 20:44:26

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其他 - ETC		晶体晶体管光电二极管放大器
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4页	64K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 20V V(BR)CEO \| 30MA I(C) \| SC-75

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2SC4626C 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.84
最大集电极电流 (IC)：	0.03 A	集电极-发射极最大电压：	20 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	50
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	300 MHz	Base Number Matches：	1

2SC4626C 数据手册

Transistor

2SC4626

Silicon NPN epitaxial planer type

For high-frequency amplification

Complementary to 2SA1790

Unit: mm

1.6±0.15

0.8±0.1

0.4

Features

■

●

Optimum for RF amplification of FM/AM radios.

High transition frequency f_T.

●

SS-Mini type package, allowing downsizing of the equipment

and automatic insertion through the tape packing.

Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Ratings

Unit

0.2±0.1

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

1:Base

2:Emitter

3:Collector

EIAJ:SC–75

SS–Mini Type Package

˚C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

125

T_j

125

Marking symbol : V

T_stg

–55 ~ +125

˚C

Electrical Characteristics (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

I_CBO

Conditions

min

typ

max

0.1

Unit

Collector cutoff current

Forward current transfer ratio

Transition frequency

Noise figure

V_CB= 10V, I_E= 0

_CB= 10V, I_E= –1mA

µA

h_FE

f_T

220

V_CB= 10V, I_E= –1mA, f = 200MHz

V_CB= 10V, I_E= –1mA, f = 5MHz

V_CB= 10V, I_E= –1mA, f = 2MHz

V_CB= 10V, I_E= –1mA, f = 10.7MHz

150

250

2.8

MHz

Ω

Z_rb

Reverse transfer impedance

1.5

Common emitter reverse transfer capacitance C_re

0.9

^*h_FERank classification

Rank

h_FE

70 ~ 140

110 ~ 220

Marking Symbol

12 3 4

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SC4626GB	PANASONIC	Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS C	获取价格
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2SC4626JB	PANASONIC	Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS C	获取价格
2SC4626JC	PANASONIC	Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS C	获取价格
2SC4626TX	PANASONIC	Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon	获取价格
2SC4627	PANASONIC	Silicon NPN epitaxial planer type(For high-frequency amplification)	获取价格