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2SC3392-4

更新时间: 2024-02-10 15:41:55
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其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 506K
描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SOT-23

2SC3392-4 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.75
风险等级:5.5最大集电极电流 (IC):0.5 A
集电极-发射极最大电压:50 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):100JESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):0.2 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):300 MHz
VCEsat-Max:0.3 VBase Number Matches:1

2SC3392-4 数据手册

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