2SC2629 - Mitsubishi Group
- 型号：
- 2SC2629
- 品牌Logo:
-
- 文档大小：
- 3页 / 134K
- 产品描述：
- NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(RF POWER TRANSISTOR)
- 参数详情
- 生命周期
- Obsolete
- 包装说明
- POST/STUD MOUNT, R-CQPM-F4
- 针数
- 4
- Reach Compliance Code
- unknown
- ECCN代码
- EAR99
- HTS代码
- 8541.29.00.95
- 风险等级
- 5.84
- Is Samacsys
- N
- 外壳连接
- ISOLATED
- 最大集电极电流 (IC)
- 8 A
- 集电极-发射极最大电压
- 17 V
- 配置
- SINGLE
- 最小直流电流增益 (hFE)
- 10
- 最高频带
- VERY HIGH FREQUENCY BAND
- JESD-30 代码
- R-CQPM-F4
- 元件数量
- 1
- 端子数量
- 4
- 最高工作温度
- 175 °C
- 封装主体材料
- CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
- 封装形状
- RECTANGULAR
- 封装形式
- POST/STUD MOUNT
- 极性/信道类型
- NPN
- 功耗环境最大值
- 60 W
- 最大功率耗散 (Abs)
- 3 W
- 最小功率增益 (Gp)
- 9.3 dB
- 认证状态
- Not Qualified
- 子类别
- Other Transistors
- 表面贴装
- YES
- 端子形式
- FLAT
- 端子位置
- QUAD
- 晶体管应用
- AMPLIFIER
- 晶体管元件材料
- SILICON
- Base Number Matches
- 1
