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2SC1953

更新时间： 2024-02-17 19:21:34

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	134K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SC1953 技术参数

生命周期：	Lifetime Buy	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
最大集电极电流 (IC)：	0.05 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	260	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	1.2 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
标称过渡频率 (fT)：	70 MHz	Base Number Matches：	1

2SC1953 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC1953

DESCRIPTION

·With TO-126 package

·Complement to type 2SA914

·High V_CEO

APPLICATIONS

·For low-frequency power pre-amplification

PINNING

DESCRIPTION

Emitter

Collector;connected to

mounting base

Base

Absolute Maximun Ratings (Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

150

UNIT

Open base

150

Open collector

I_CM

Collector current-peak

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

100

P_C

1.2

T_j

150

℃

T_stg

-55~150

℃

12 3 4

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SC1953Q	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 150V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| TO-126	获取价格
2SC1953R	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 150V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| TO-126	获取价格
2SC1953S	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 150V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| TO-126	获取价格
2SC1953T	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 150V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| TO-126	获取价格
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