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2SA1748

更新时间： 2024-01-28 16:05:42

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科信 - KEXIN		晶体晶体管光电二极管放大器
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1页	45K
描述
Silicon PNP Epitaxial Planar Type

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2SA1748 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.77
最大集电极电流 (IC)：	0.05 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	200
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	250 MHz
VCEsat-Max：	0.3 V	Base Number Matches：	1

2SA1748 数据手册

SMD Type

TransistIoCrs

Silicon PNP Epitaxial Planar Type

2SA1748

Features

High transition frequency fT.

Small collector output capacitance Cob.

1 Emitter

2 Base

3 Collector

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Symbol

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

Rating

-50

Unit

-50

-5

Collector current

-50

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P^C

150

T^j

150

Tstg

-55 to +150

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Symbol

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^CBO

Testconditons

Min

-50

-5

Typ

Max

Unit

Collector-base voltage

IC = -10 ìA, IE = 0

IC = -1 mA, IB = 0

IE = -10 ìA, IC = 0

VCB = -10 V, IE = 0

VCE = -10 V, IB = 0

VCE = -10 V, IC = -2 mA

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector-base cutoff current

Emitter-base cutoff current

Forward current transfer ratio

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

-0.1

-100

500

-0.3

ìA

I^EBO

h^FE

200

V^CE(sat)IC = -10 mA, IB = -1 mA

-0.1

250

1.5

f^T

VCB = -10 V, IE = 2 mA, f = 200 MHz

VCB = -10 V, IE = 0, f = 1 MHz

MHz

Collector output capacitance

C^ob

hFE Classification

Marking

Rank

h^FE

200 400

250 500

www.kexin.com.cn

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