2N7612M1 - Infineon
- 型号：
- 2N7612M1
- 品牌Logo:
-
- 品牌名称：
- INFINEON [ Infineon ]
- 文档大小：
- 9页 / 206K
- 产品描述：
- Small Signal Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 100V, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-036AB, HERMETIC SEALED PACKAGE-14
- 参数详情
- 是否Rohs认证
- 不符合
- 生命周期
- Active
- IHS 制造商
- INFINEON TECHNOLOGIES AG
- 包装说明
- IN-LINE, R-CDIP-T14
- Reach Compliance Code
- compliant
- ECCN代码
- EAR99
- 风险等级
- 5.38
- Is Samacsys
- N
- 配置
- SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- 最小漏源击穿电压
- 100 V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 1.8 A
- 最大漏极电流 (ID)
- 1.8 A
- 最大漏源导通电阻
- 0.22 Ω
- FET 技术
- METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- JEDEC-95代码
- MO-036AB
- JESD-30 代码
- R-CDIP-T14
- JESD-609代码
- e0
- 元件数量
- 4
- 端子数量
- 14
- 工作模式
- ENHANCEMENT MODE
- 最高工作温度
- 150 °C
- 封装主体材料
- CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
- 封装形状
- RECTANGULAR
- 封装形式
- IN-LINE
- 峰值回流温度（摄氏度）
- NOT SPECIFIED
- 极性/信道类型
- N-CHANNEL
- 最大功率耗散 (Abs)
- 1.4 W
- 认证状态
- Not Qualified
- 子类别
- FET General Purpose Power
- 表面贴装
- NO
- 端子面层
- Tin/Lead (Sn/Pb)
- 端子形式
- THROUGH-HOLE
- 端子位置
- DUAL
- 处于峰值回流温度下的最长时间
- NOT SPECIFIED
- 晶体管应用
- SWITCHING
- 晶体管元件材料
- SILICON
- Base Number Matches
- 1
相关文档
-
9页
-
9页
-
9页