2N7336PBF - Infineon
- 型号：
- 2N7336PBF
- 品牌Logo:
-
- 品牌名称：
- INFINEON [ Infineon ]
- 应用标签：
- 文档大小：
- 12页 / 444K
- 产品描述：
- Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 0.7ohm, 4-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-036AB
- 参数详情
- 是否Rohs认证
- 不符合
- 生命周期
- Active
- IHS 制造商
- TT ELECTRONICS PLC
- 包装说明
- IN-LINE, R-CDIP-T14
- Reach Compliance Code
- compliant
- ECCN代码
- EAR99
- 风险等级
- 5.73
- 其他特性
- AVALANCHE RATED
- 雪崩能效等级（Eas）
- 75 mJ
- 配置
- SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- 最小漏源击穿电压
- 100 V
- 最大漏极电流 (ID)
- 1 A
- 最大漏源导通电阻
- 0.8 Ω
- FET 技术
- METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- JESD-30 代码
- R-CDIP-T14
- 元件数量
- 4
- 端子数量
- 14
- 工作模式
- ENHANCEMENT MODE
- 封装主体材料
- CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
- 封装形状
- RECTANGULAR
- 封装形式
- IN-LINE
- 峰值回流温度（摄氏度）
- NOT SPECIFIED
- 极性/信道类型
- N-CHANNEL AND P-CHANNEL
- 最大脉冲漏极电流 (IDM)
- 4 A
- 认证状态
- Not Qualified
- 表面贴装
- NO
- 端子形式
- THROUGH-HOLE
- 端子位置
- DUAL
- 处于峰值回流温度下的最长时间
- NOT SPECIFIED
- 晶体管元件材料
- SILICON
- Base Number Matches
- 1
