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2N7002/E8

更新时间： 2024-01-10 05:46:22

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威世 - VISHAY		输入元件开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	104K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.23A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB

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2N7002/E8 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.55
其他特性：	HIGH INPUT IMPEDENCE	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	0.23 A
最大漏源导通电阻：	7.5 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	5 pF	JEDEC-95代码：	TO-236AB
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2N7002/E8 数据手册

2N7002

N-Channel Enhancement-Mode MOSFET

60V R 3.0Ω I 230mA

DS(ON) D

TO-236AB (SOT-23)

.122 (3.1)

.110 (2.8)

0.031 (0.8)

.016 (0.4)

Top View

0.035 (0.9)

0.079 (2.0)

Pin Configuration

1. Gate

2. Source

3. Drain

0.037 (0.95)

.037(0.95)

Mounting Pad Layout

.102 (2.6)

.094 (2.4)

.016 (0.4) .016 (0.4)

Dimensions in inches and (millimeters)

Features

Mechanical Data

• Advanced Trench Process Technology

• High density cell design for ultra-low on-resistance

• High input impedance

Case: SOT-23 Plastic Package

Weight: approx. 0.008g

Marking Code: S72

• High-speed switching

Packaging Codes/Options:

• No minority carrier storage time

• CMOS logic compatible input

• No secondary breakdown

E8/10K per 13” reel (8mm tape), 30K/box

E9/3K per 7” reel (8mm tape), 30K/box

Maximum Ratings and Thermal Characteristics (T_A= 25°C unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source-Voltage

V_DS

V_GS

Continuous Drain Current

T_J= 150°C

T_A= 25°C

T_A= 70°C

230

180

I_D

Pulsed Drain Current⁽¹⁾

I_DM

P_D

1300

T_A= 25°C

T_A= 70°C

300

192

Maximum Power Dissipation

Operating Junction and Storage Temperature Range

Maximum Junction-to-Ambient Thermal Resistance

T_J, T_stg

R_θJA

–55 to +150

417

°C

°C/W

Note:

(1) Pulse test, pulse width ≤ 300µs, duty cycle ≤ 2%

3/8/01

12 3 4 5

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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