2N7002E-T1-GE3 - VISHAY
- 型号：
- 2N7002E-T1-GE3
- 品牌Logo:
-
- 品牌名称：
- VISHAY [ VISHAY ]
- 文档大小：
- 8页 / 194K
- 产品描述：
- N-Channel 60 V (D-S) MOSFET
- 参数详情
- 是否无铅
- 不含铅
- 是否Rohs认证
- 符合
- 生命周期
- Not Recommended
- 零件包装代码
- SOT-23
- 包装说明
- SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
- 针数
- 3
- Reach Compliance Code
- unknown
- ECCN代码
- EAR99
- HTS代码
- 8541.21.00.95
- 风险等级
- 6.89
- Is Samacsys
- N
- 配置
- SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 最小漏源击穿电压
- 60 V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 0.24 A
- 最大漏极电流 (ID)
- 0.24 A
- 最大漏源导通电阻
- 3 Ω
- FET 技术
- METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- JEDEC-95代码
- TO-236AB
- JESD-30 代码
- R-PDSO-G3
- JESD-609代码
- e3
- 湿度敏感等级
- 1
- 元件数量
- 1
- 端子数量
- 3
- 工作模式
- ENHANCEMENT MODE
- 最高工作温度
- 150 °C
- 封装主体材料
- PLASTIC/EPOXY
- 封装形状
- RECTANGULAR
- 封装形式
- SMALL OUTLINE
- 峰值回流温度（摄氏度）
- NOT SPECIFIED
- 极性/信道类型
- N-CHANNEL
- 最大功率耗散 (Abs)
- 0.35 W
- 认证状态
- Not Qualified
- 子类别
- FET General Purpose Powers
- 表面贴装
- YES
- 端子面层
- Matte Tin (Sn)
- 端子形式
- GULL WING
- 端子位置
- DUAL
- 处于峰值回流温度下的最长时间
- NOT SPECIFIED
- 晶体管应用
- SWITCHING
- 晶体管元件材料
- SILICON
- Base Number Matches
- 1
