2N7002E-7-F - DIODES INCORPORATED
- 型号：
- 2N7002E-7-F
- 品牌Logo:
-
- 文档大小：
- 4页 / 411K
- 产品描述：
- N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
- 参数详情
- 是否无铅
- 不含铅
- 是否Rohs认证
- 符合
- 生命周期
- Active
- IHS 制造商
- DIODES INC
- 包装说明
- SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
- 针数
- 3
- Reach Compliance Code
- compliant
- ECCN代码
- EAR99
- Factory Lead Time
- 19 weeks
- 风险等级
- 0.45
- Samacsys Confidence
- 3
- Samacsys Status
- Released
- 2D Presentation
- Schematic Symbol
- PCB Footprint
- 3D View
- Samacsys PartID
- 248861
- Samacsys Image
- Samacsys Thumbnail Image
- Samacsys Pin Count
- 3
- Samacsys Part Category
- MOSFET (N-Channel)
- Samacsys Package Category
- SOT23 (3-Pin)
- Samacsys Footprint Name
- sot-23--
- Samacsys Released Date
- 2020-02-09 02:42:44
- Is Samacsys
- N
- 其他特性
- LOW THRESHOLD
- 配置
- SINGLE
- 最小漏源击穿电压
- 60 V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 0.24 A
- 最大漏极电流 (ID)
- 0.24 A
- 最大漏源导通电阻
- 3 Ω
- FET 技术
- METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 最大反馈电容 (Crss)
- 5 pF
- JESD-30 代码
- R-PDSO-G3
- JESD-609代码
- e3
- 湿度敏感等级
- 1
- 元件数量
- 1
- 端子数量
- 3
- 工作模式
- ENHANCEMENT MODE
- 最高工作温度
- 150 °C
- 封装主体材料
- PLASTIC/EPOXY
- 封装形状
- RECTANGULAR
- 封装形式
- SMALL OUTLINE
- 峰值回流温度（摄氏度）
- 260
- 极性/信道类型
- N-CHANNEL
- 最大功率耗散 (Abs)
- 0.3 W
- 认证状态
- Not Qualified
- 子类别
- FET General Purpose Powers
- 表面贴装
- YES
- 端子面层
- Matte Tin (Sn)
- 端子形式
- GULL WING
- 端子位置
- DUAL
- 处于峰值回流温度下的最长时间
- 40
- 晶体管应用
- SWITCHING
- 晶体管元件材料
- SILICON
- Base Number Matches
- 1
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