2N6849EB - Infineon
- 型号：
- 2N6849EB
- 品牌Logo:
-
- 品牌名称：
- INFINEON [ Infineon ]
- 应用标签：
- 晶体管
- 文档大小：
- 11页 / 325K
- 产品描述：
- Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF,
- 参数详情
- 是否Rohs认证
- 不符合
- 生命周期
- Obsolete
- 包装说明
- CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
- Reach Compliance Code
- compliant
- 风险等级
- 5.69
- 配置
- SINGLE
- 最小漏源击穿电压
- 100 V
- 最大漏源导通电阻
- 0.3 Ω
- FET 技术
- METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- JEDEC-95代码
- TO-205AF
- JESD-30 代码
- O-MBCY-W3
- JESD-609代码
- e0
- 元件数量
- 1
- 端子数量
- 3
- 工作模式
- ENHANCEMENT MODE
- 封装主体材料
- METAL
- 封装形状
- ROUND
- 封装形式
- CYLINDRICAL
- 峰值回流温度（摄氏度）
- NOT SPECIFIED
- 极性/信道类型
- P-CHANNEL
- 认证状态
- Not Qualified
- 参考标准
- CECC
- 表面贴装
- NO
- 端子面层
- TIN LEAD
- 端子形式
- WIRE
- 端子位置
- BOTTOM
- 处于峰值回流温度下的最长时间
- NOT SPECIFIED
- 晶体管元件材料
- SILICON
- Base Number Matches
- 1
相关文档
-
11页
2N6849EBPBF
Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF
一键下载
-
11页
-
11页