2N6802 - NEW JERSEY SEMI-CONDUCTOR PRODUCTS, INC.
- 型号：
- 2N6802
- 品牌Logo:
-
- 文档大小：
- 1页 / 179K
- 产品描述：
- POWER MOS FIELD-EFFECT TRANSISTORS
- 参数详情
- 是否Rohs认证
- 符合
- 生命周期
- Active
- IHS 制造商
- MICROSEMI CORP
- Reach Compliance Code
- compliant
- 风险等级
- 5.19
- Is Samacsys
- N
- 配置
- Single
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 2.5 A
- FET 技术
- METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 最高工作温度
- 150 °C
- 峰值回流温度（摄氏度）
- NOT SPECIFIED
- 极性/信道类型
- N-CHANNEL
- 最大功率耗散 (Abs)
- 25 W
- 子类别
- FET General Purpose Power
- 表面贴装
- YES
- 处于峰值回流温度下的最长时间
- NOT SPECIFIED
- Base Number Matches
- 1
