2N6800EAPBF - Infineon
- 型号：
- 2N6800EAPBF
- 品牌Logo:
-
- 品牌名称：
- INFINEON [ Infineon ]
- 应用标签：
- 文档大小：
- 11页 / 325K
- 产品描述：
- Power Field-Effect Transistor, 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF
- 参数详情
- 是否无铅
- 不含铅
- 是否Rohs认证
- 符合
- 生命周期
- Transferred
- 包装说明
- CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
- Reach Compliance Code
- compliant
- 风险等级
- 5.62
- 配置
- SINGLE
- 最小漏源击穿电压
- 400 V
- 最大漏源导通电阻
- 1 Ω
- FET 技术
- METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- JEDEC-95代码
- TO-205AF
- JESD-30 代码
- O-MBCY-W3
- 元件数量
- 1
- 端子数量
- 3
- 工作模式
- ENHANCEMENT MODE
- 封装主体材料
- METAL
- 封装形状
- ROUND
- 封装形式
- CYLINDRICAL
- 峰值回流温度（摄氏度）
- 260
- 极性/信道类型
- N-CHANNEL
- 认证状态
- Not Qualified
- 参考标准
- CECC
- 表面贴装
- NO
- 端子形式
- WIRE
- 端子位置
- BOTTOM
- 处于峰值回流温度下的最长时间
- 40
- 晶体管元件材料
- SILICON
- Base Number Matches
- 1
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2N6800ECPBF
Power Field-Effect Transistor, 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF
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