2N6770T1 - Microsemi
- 型号：
- 2N6770T1
- 品牌Logo:
-
- 品牌名称：
- MICROSEMI [ Microsemi ]
- 文档大小：
- 2页 / 109K
- 产品描述：
- N-CHANNEL MOSFET
- 参数详情
- 是否Rohs认证
- 不符合
- 生命周期
- Active
- IHS 制造商
- MICROSEMI CORP
- 零件包装代码
- TO-254AA
- 包装说明
- FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3
- 针数
- 3
- Reach Compliance Code
- compliant
- 风险等级
- 5.11
- Is Samacsys
- N
- 外壳连接
- ISOLATED
- 配置
- SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 最小漏源击穿电压
- 500 V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 12 A
- 最大漏极电流 (ID)
- 12 A
- 最大漏源导通电阻
- 0.5 Ω
- FET 技术
- METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- JEDEC-95代码
- TO-254AA
- JESD-30 代码
- S-XSFM-P3
- 元件数量
- 1
- 端子数量
- 3
- 工作模式
- ENHANCEMENT MODE
- 最高工作温度
- 150 °C
- 封装主体材料
- UNSPECIFIED
- 封装形状
- SQUARE
- 封装形式
- FLANGE MOUNT
- 极性/信道类型
- N-CHANNEL
- 最大功率耗散 (Abs)
- 150 W
- 认证状态
- Not Qualified
- 子类别
- FET General Purpose Power
- 表面贴装
- NO
- 端子形式
- PIN/PEG
- 端子位置
- SINGLE
- 晶体管元件材料
- SILICON
- Base Number Matches
- 1
