2N6767 - NEW JERSEY SEMI-CONDUCTOR PRODUCTS, INC.
- 型号：
- 2N6767
- 品牌Logo:
-
- 文档大小：
- 2页 / 258K
- 产品描述：
- N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE
- 参数详情
- 是否Rohs认证
- 不符合
- 生命周期
- Obsolete
- IHS 制造商
- FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
- Reach Compliance Code
- compliant
- 风险等级
- 5.92
- 配置
- Single
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 12 A
- FET 技术
- METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- JESD-609代码
- e0
- 工作模式
- ENHANCEMENT MODE
- 最高工作温度
- 150 °C
- 极性/信道类型
- N-CHANNEL
- 最大功率耗散 (Abs)
- 150 W
- 子类别
- FET General Purpose Power
- 表面贴装
- NO
- 端子面层
- Tin/Lead (Sn/Pb)
