2N6766 - Microsemi
- 型号：
- 2N6766
- 品牌Logo:
-
- 品牌名称：
- MICROSEMI [ Microsemi ]
- 应用标签：
- 文档大小：
- 5页 / 240K
- 产品描述：
- N-CHANNEL MOSFET
- 参数详情
- 生命周期
- Transferred
- IHS 制造商
- HARRIS SEMICONDUCTOR
- 包装说明
- FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
- Reach Compliance Code
- unknown
- ECCN代码
- EAR99
- 风险等级
- 5.63
- Is Samacsys
- N
- 其他特性
- RADIATION HARDENED
- 外壳连接
- DRAIN
- 配置
- SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 最小漏源击穿电压
- 200 V
- 最大漏极电流 (ID)
- 30 A
- 最大漏源导通电阻
- 0.085 Ω
- FET 技术
- METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 最大反馈电容 (Crss)
- 500 pF
- JEDEC-95代码
- TO-204AE
- JESD-30 代码
- O-MBFM-P2
- 元件数量
- 1
- 端子数量
- 2
- 工作模式
- ENHANCEMENT MODE
- 最高工作温度
- 150 °C
- 封装主体材料
- METAL
- 封装形状
- ROUND
- 封装形式
- FLANGE MOUNT
- 极性/信道类型
- N-CHANNEL
- 功耗环境最大值
- 150 W
- 最大脉冲漏极电流 (IDM)
- 60 A
- 认证状态
- Not Qualified
- 参考标准
- MILITARY STANDARD (USA)
- 表面贴装
- NO
- 端子形式
- PIN/PEG
- 端子位置
- BOTTOM
- 晶体管应用
- SWITCHING
- 晶体管元件材料
- SILICON
- 最大关闭时间（toff）
- 225 ns
- 最大开启时间（吨）
- 135 ns
- Base Number Matches
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